텔레다인르크로이는 26일 텔레다인르크로이 오실로스코프에서 실행되는 새로운 자동 컴플라이언스 테스트 프레임워크와 동일한 새로운 오프라인 PC 기반 버전을 발표했다. 이번 2세대 버전은 USB4 버전 2.0(Thunderbolt 5) 및 PCIe 6.0 전기 컴플라이언스 테스트에 대한 지원이 제공된다. DisplayPort 2.1, USSB 3.2, HDMI 2.1, DDR5 등과 같은 기타 표준은 내년에 새로운 테스트 프레임워크에서 지원될 예정이다. USB4, Thunderbolt, PCI Express 및 DisplayPort와 같은 고속 시리얼 표준에 대한 컴플라이언스 및 상호 운용성 테스트는 장비 제조업체에게 매우 많은 비용과 시간을 소모하게 한다. 새로운 세대가 나올 때마다 컴플라이언스 테스트 표준(CTS)에 더 많은 테스트가 추가돼 제품 검증 및 컴플라이언스 프로그램에 테스트 병목 현상이 발생한다. 또한 컴플라이언스 테스트는 트랜스미터(Tx) 테스트의 경우 오실로스코프에서 파형을 포착하고 파형 데이터를 분석하며 리시버(Rx) 테스트에서는 캘리브레이션을 수행할 때 시간이 오래 걸리기 때문에 실험실 장비 사용면에서 매우 비효율적이다. 병목 현상 및 장비
새로운 옵션으로 시간 상관 관계 보기 및 분석 가능 텔레다인르크로이는 특허 받은 CrossSync PHY 기술을 USB Type-C 커넥터를 통해 USB4 시그널링으로 확장했다고 25일 밝혔다. CrossSync PHY 기술은 텔레다인르크로이 오실로스코프에서 파형과 프로토콜 분석기 트레이스를 동시에 표시해 전기적 신호와 프로토콜 정보를 표시한 트레이스를 시간적으로 일치해주는 장점이 있다. 텔레다인르크로이는 파형과 프로토콜 사이의 시간 상관관계를 통해 강력한 검증과 문제가 발생한 근본 원인을 쉽게 파악할 수 있다고 설명했다. 한편, USB4는 기존에 발표한 USB 버전보다 속도가 빠르고 많은 전력을 제공한다. USB4 디바이스가 호스트에 연결되면, 호스트와 디바이스 간에 전송할 수 있는 속도 중 가장 빠른 데이터 전송속도로 설정된다. USB Type-C 케이블을 통해 40Gb/s로 통신을 하려면, 호스트와 디바이스 사이에서 수행하는 링크 협상 과정을 순차적으로 성공해야 한다. 필요한 과정을 완료하지 못하면, 링크 협상이 실패하고 전송 가능 최대 속도가 낮아진다. 연결 과정에서 문제가 발생하면 전기적인 신호 품질 문제와 프로토콜 관련 문제 등으로 디버깅하기가 어
낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성 제공 넥스페리아가 고속 데이터 라인에서 리타이머 및 리드라이버와 함께 사용하도록 최적화한 두 개의 정전기 방전(ESD) 보호 소자 2종을 출시했다. PESD2V8Y1BSF는 USB4(썬더 볼트) 인터페이스를 보호하도록, PESD4V0Y1BCSF는 USB4 및 HDMI 2.1과 함께 사용하도록 설계됐다. 이 제품들은 넥스페리아의 입증된 TrEOS 기술을 사용해 낮은 클램핑, 낮은 정전 용량, 높은 견고성을 제공한다. 리타이머 및 리드라이버는 일반적으로 고속 USB4 인터페이스 설계에 사용된다. 그러나 낮은 기생 인덕턴스를 갖는 짦은 보드 트레이스로 인해 전체 시스템 레벨 ESD 견고성 감소라는 의도치 않은 결과를 가져온다. PESD2V8Y1BSF 및 PESD4V0Y1BCSF는 낮고 빠른 전송 라인 펄스(vfTLP) 피크 클램핑 전압을 제공하는데, 이 전압은 표준 I(V) TLP 곡선에서 가시적인 트리거 전압이 없는 USB4 보호 솔루션보다 훨씬 낮다. 그 결과 보호 기능과 리타이머 사이에서 일어나는 인덕턴스 감소가 보상되므로 전체 시스템 레벨 ESD의 견고성이 높아진다. 이 제품들은 ESD에 대한 예산 손실 권장 사
헬로티 이동재 기자 | 넥스페리아가 두 개의 최저 클램핑 및 커패시턴스 양방향 정전기 방전(ESD) 보호 다이오드인 PESD5V0R1BxSF를 출시했다. 능동 실리콘 제어 정류기능을 갖춘 넥스페리아의 TrEOS 기술을 기반으로 한 이 소자들은 노트북 및 주변 기기를 비롯해 스마트폰 등 다양한 휴대용 전자 기기의 USB4 데이터 라인에 대해 최적의 신호 무결성을 보장한다. 스테판 사이더 넥스페리아 제품담당 선임 매니저는 "시스템업체들이 USB4 Super Speed 라인의 삽입 손실 및 복구 손실에 대한 비용을 추가로 쓰지 않는 경향이 있지만 당사는 ESD 보호를 위한 비용이 총 비용에 미치는 영향을 최소화하는 소자로 설계 엔지니어를 지원한다"라며 "엔지니어는 이러한 두 소자 옵션을 선택해ESD 전압 클램핑 (보호 수준)과 RF 성능 사이의 균형을 맞출 수 있다"고 설명했다. 낮은 클램핑에 최적화된 PESD5V0R1BDSF는 10GHz에서 -0.28dB의 매우 낮은 삽입 손실 수치와 -19dB의 낮은 복구 손실 수치를 제공한다. 이에 비해 PESD5V0R1BCSF는 10GHz에서 -0.25dB의 삽입 손실 데이터와 -19.4dB의 반환 손실 데이터를 통해 RF
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