프로덕트 ST, 갈바닉 절연 기능 통합한 GaN 드라이버 출시

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 GaN(Gallium-Nitride) 트랜지스터를 지원하는 ST 최초의 갈바닉 절연 게이트 드라이버인 STGAP2GS를 출시했다고 11일 밝혔다. 이 드라이버는 견고한 안전성 및 전기적 보호 기능과 더불어 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 효율성이 필요한 애플리케이션에서 크기를 줄이고 부품원가(BoM)를 절감해준다. 이 단일 채널 드라이버는 최대 1200V 또는 STGAP2GSN 협폭 버전의 경우 1700V의 고전압 레일에 연결할 수 있으며, 최대 15V의 게이트 구동 전압을 제공한다. 연결된 GaN 트랜지스터에 최대 3A의 게이트 전류를 싱킹 및 소싱할 수 있기에 높은 동작 주파수에서도 정밀한 스위칭 전환을 보장한다. STGAP2GS는 절연 장벽 전반에 걸쳐 전파 지연을 최소화해 단 45ns의 빠른 동적 응답을 보장한다. 또한, 전체 온도 범위에서 ±100V/ns의 dV/dt 과도 내성을 제공함으로써 원치 않는 트랜지스터 게이트 변경을 방지한다. STGAP2GS는 싱크 및 소스 핀을 별도로 사용할 수 있어 게이트 구동 동작 및 성능의 간편한 조정이 가능하다. STGAP2GS는 광학 절연을 제공하는 데 구성요소가 따

• 이창현 기자
• 2023-07-11 15:05