일반뉴스 ST, 새로운 MDmesh MOSFET으로 전력밀도 및 효율성 ↑

ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 STPOWER MDmesh M9 및 DM9 N-채널 슈퍼정션(Super-Junction) 멀티-드레인 실리콘 전력 MOSFET을 출시했다. 이 디바이스는 데이터센터 서버와 5G 인프라에서 평면패널 TV까지 다양한 애플리케이션의 스위칭 모드 전원공급장치에 적합하다. 가장 먼저 출시된 디바이스는 650V STP65N045M9 및 600V STP60N043DM9이다. 두 디바이스 모두 단위면적당 매우 낮은 온저항을 갖춰 전력밀도를 극대화하고 시스템 크기를 소형화 할 수 있다. 최대 RDS(on)(RDS(on)max)으로 STP65N045M9은45mΩ, STP60N043DM9의 경우 43mΩ으로 최적의 값을 가지고 있다. 이 디바이스들은 일반적으로 400V 드레인 전압에서 80nC의 매우 낮은 게이트 전하를 사용하므로 현재 이용 가능한 최상의 RDS(on)max x Qg 성능지수를 갖추고 있다. 게이트 임계전압은 일반적으로 STP65N045M9의 경우 3.7V, STP60N043DM9의 경우 4.0V이며, 이전 MDmesh M5 및 M6/DM6에 비해 모두 턴온 및 턴오프 스위칭 손실을 최소화한다. MDmesh M9 및 DM9

• 함수미 기자
• 2022-05-13 11:43