화웨이의 고위 경영자가 중국이 3㎚나 5㎚ 같은 초미세 공정 대신 7nm 공정 완성도를 높여야 한다는 입장을 밝힌 것으로 전해졌다. 9일 봉황망 등 중화권 매체들에 따르면, 장핑안 화웨이클라우드 최고경영자(CEO)는 지난 4월 중국 동부 쑤저우에서 열린 '중국 모바일 컴퓨팅 네트워크 콘퍼런스'에서 "인공지능(AI) 시대와 대규모 컴퓨팅 네트워크 시대를 맞은 우리의 혁신 방향은 무엇인가"라며 "여러분이 봤듯 우리의 노광장비, 고성능 노광장비는 중국에 수입이 허락되지 않는다"고 말했다. 장 CEO는 "이런 상황에서 중국 대륙 내에서 고성능 칩을 만들려면 이 경로론 안 된다"며 지난해 대만 TSMC의 3nm 웨이퍼가 세계 공급의 7%, 5㎚ 웨이퍼가 37%를 각각 차지했다는 데이터를 소개했다. 이어 "우리는 분명 3nm를 얻을 수 없고 5nm도 얻을 수 없다"며 "우리가 7㎚를 해결할 수 있다면 매우 좋다"고 했다. 화웨이는 2020년 10월 발표한 스마트폰 '메이트 40' 시리즈에 TSMC가 만든 5㎚ 공정의 '기린 9000'을 썼으나 이후로는 미국 제재 대상이 돼 TSMC 칩을 쓸 수 없었다. 한동안 고성능 스마트폰 출시에 어려움을 겪던 화웨이는 작년 8월 중
지난 8월 화웨이가 세간을 놀라게 할 사건을 만들었다. 화웨이가 공개한 스마트폰 ‘메이트 60 프로(Mate 60 Pro)’이 바로 그것인데, 놀랍게도 이 스파트폰에 적용된 미세공정이 7nm 수준이라는 것이었다. 화웨이의 발표에 가장 뜨끔한 나라는 미국이다. 올초 발표된 반도체지원법을 비롯해 각종 제재로 중국을 제약해온 미국은 중국의 숨겨왔던 기술 약진에 따른 새로운 대안을 마련하는 분위기다. 7nm의 등장, 미국은 놀랐다 화웨이가 발표한 메이트 60 프로는 미국의 제재 속에 중국이 새로운 돌파구를 마련했다는 상징과도 같았다. 이번 발표에서 가장 주목받은 사항은 7nm 미세공정으로 제작됐다는 점이었다. 테크인사이츠의 분석에 따르면, 화웨이는 메이트 60 프로에 전력을 공급하기 위해 SMIC와 함께 7nm 프로세서를 구축한 것으로 알려졌다. 이 프로세서는 SMIC가 중국에서 제조한 신형 칩 ‘기린 9000s(Kirin 9000s)’인 것으로 알려졌다. 다만 메이트 60 프로 판매를 시작한 화웨이는 내부 칩셋의 성능 정보를 제공하지 않았다. 이에 블룸버그는 중국이 최신 공정보다 5년 정도 뒤처지긴 했으나 7nm 반도체를 자체 생산할 수 있다는 사실이 입증됐다고
삼성전자 "12나노급 32Gb DDR5 D램 ,연내 양산할 계획" 삼성전자가 업계 최초 12나노급 32Gb DDR5 D램을 개발했다. 32Gb는 D램 단일 칩 기준으로 역대 최대 용량이다. 1983년 64Kb D램을 개발한 삼성전자는 2023년 32Gb D램 개발로 40년만에 D램의 용량을 50만 배 늘리는 성과를 거뒀다. 삼성전자는 2023년 5월 12나노급 16Gb DDR5 D램을 양산한데 이어, 업계 최대 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공하며 D램 미세 공정 경쟁에서 기술 리더십을 공고히 했다. 특히, 이번 32Gb 제품은 동일 패키지 사이즈에서 아키텍처 개선을 통해 16Gb D램 대비 2배 용량 구현해 128GB 모듈을 TSV 공정없이 제작 가능하게 됐다. 또한, 동일 128GB 모듈 기준 16Gb D램을 탑재한 모듈 대비 약 10% 소비 전력 개선이 가능해 데이터 센터 등 전력 효율을 중요시하는 IT 기업에 적합한 솔루션이 될 것으로 기대된다. 삼성전자는 이번 12나노급 32Gb DDR5 D램 개발을 통해 고용량 D램 라인업을 지속 확대할 계획이다. AI 시대를 주도 할 고용량, 고성능, 저전력 제품으로 글로벌 IT 기업과 협력해 차세대 D
무협 "반도체 공급망 우위 선점 위해 정책적 지원 강화 및 인재 확보 급선무" 미국과 유럽연합(EU)이 반도체 산업을 육성하기 위해 막대한 보조금 지급과 함께 제3국 협력을 강화하면서 글로벌 반도체 공급망 재편이 급물살을 타고 있다. 특히 미국의 반도체 산업 육성 정책이 대중 제재를 강화하는 방향으로 이어지면서 반도체 수출·생산에서 주요국 대비 중국 의존도가 높은 우리 기업이 딜레마적 상황에 놓여 있다는 분석이 나왔다. 한국무역협회(이하 무협)는 31일 '미국과 EU의 반도체 산업 육성 전략과 시사점' 보고서에서 이같이 지적하면서 공급망 우위 선점을 위해 정책적 지원 강화 및 인재 확보가 시급하다고 강조했다. 보고서는 미국과 EU의 반도체 지원 정책 효과가 나타나는 2025∼2030년을 기점으로 글로벌 반도체 공급망이 새롭게 재편될 것으로 전망했다. 보고서에 따르면 미국의 반도체 육성 전략은 크게 보조금 지급, 중국 제재, 제3국 협력 강화로 요약된다. EU의 반도체 공급망 강화 전략은 보조금 지급, 모니터링 및 위기 대응 강화, 제3국과의 협력 강화가 핵심이다. 이 같은 전략에 따라 글로벌 반도체 기업은 미국의 보조금 지원을 받기 위해 총 2100억달러를
중부과학단지 타이중 지구 확장건설 2기 개발계획에 따라 변경 가능성 있어 TSMC가 중부 타이중 지역에 최첨단 공정인 1나노(nm·10억분의 1m) 공장 신설을 고려하고 있는 것으로 알려졌다. 27일 연합보 등 대만언론은 업계 소식통을 인용해 TSMC가 중부과학단지 관리국이 추진하는 '중부과학단지 타이중 지구 확장건설 2기 개발계획'에 따라 확보되는 공장용지를 1나노 공정으로 변경할 가능성이 있다고 보도했다. 해당 소식통은 TSMC가 중부 타이중의 중부과학단지에 건설할 예정으로 알려진 2나노 공장을 1나노 공장 건설로 계획 변경을 고려하는 이유가 지난 8일 남부 가오슝 공장에 2나노 공장 투자계획을 확정한 것과 관련이 있는 것으로 보인다고 설명했다. 이어 이같은 계획은 해당 지역 부지가 TSMC로 인도될 것으로 예정 시점인 2024년 6월께 외부에 공개될 것으로 내다봤다. 다른 소식통은 TSMC 내부에서 해당 부지의 웨이퍼 공장 건설이 완료될 것으로 예상하는 2025년 말이면 북부 신주와 중부 타이중에 2나노 공정을 동시에 건설할 필요성이 낮은 것으로 예측하고 있다고 전했다. 아울러 TSMC가 밝힌 2나노 관련 설비 리스트에 타이중 지역을 제외한 북부 신주과
2나노 공정 위해 정부에 전력·공업용수 공급 관련 협조 요청한 것으로 알려져 TSMC가 대만 남부 가오슝에 건설하는 공장에서 당초 계획된 28㎚ 공정 제품 대신 최첨단 2나노 공정 제품을 생산할 것으로 알려졌다. 17일 연합보 등 대만 언론은 소식통을 인용해 TSMC가 인공지능(AI) 시장 성장세에 대처하기 위해 북부 신주과학단지 바오산 지역의 '20팹' 외에 남부 가오슝 공장에도 2나노 공정을 구축해 2나노 제품을 동시 생산할 계획이라고 보도했다. 특히 최근 AI 분야의 반도체 수요가 예상보다 빨리 성장하는 상황에서 TSMC 2나노 공정의 수율에 애플과 엔비디아가 긍정적인 반응을 보이고 AI 관련 업체들이 높은 관심을 보임에 따라 이같은 결정을 내렸다고 설명했다. 이 소식통은 2나노 반도체에 대해 "20팹과 가오슝 공장에서 내년 하반기 시범 생산을 거쳐 2025년 양산을 목표로 한다"며 오는 20일 실적 설명회에서 관련 내용을 밝힐 가능성이 있다고 전망했다. 다른 소식통도 TSMC가 가오슝 공장에 2나노 공정 설치를 이미 결정해 경제부와 가오슝시 정부 등에 전력·공업용수 공급 관련 협조를 요청했다고 전했다. 그러면서 공급망 관계자를 인용, TSMC가 장비업
삼성-TSMC, 3나노 기술 포함 고객군, 공정 등 다양한 영역서 경쟁 구도 형성 글로벌 경기 침체 우려로 메모리 반도체 업황에 먹구름이 낀 가운데 비교적 수요가 탄탄한 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 분야의 경쟁도 치열해지고 있다. 삼성전자가 TSMC에 한발 앞서 3나노 반도체를 양산하며 기술 경쟁에서 앞서가자 TSMC는 삼성전자 파운드리의 '이해관계 충돌' 문제를 주장하며 장외에서도 신경전을 벌이고 있다. 11일 외신과 업계에 따르면 TSMC 웨이저자(魏哲家) CEO는 지난달 말 타이베이에서 열린 연례 TSMC 기술포럼 연설에서 "2000명의 연구진을 보유한 TSMC는 상품을 설계할 수 있는 능력이 있지만 절대 내 제품을 만들지는 않는다"며 "고객은 TSMC에 설계를 빼앗길 걱정을 할 필요가 없다"고 말했다. 이어 그는 "TSMC의 성공은 곧 고객의 성공이지만 경쟁 상대는 감히 이렇게 말할 수 없을 것"이라고 덧붙였다. 웨이 CEO가 구체적으로 경쟁 상대가 누구인지 언급하지 않았지만 이는 파운드리 업계 2위인 삼성전자를 겨냥한 것으로 해석된다. 삼성전자는 파운드리 업계에서 TSMC의 가장 큰 경쟁상대다. 삼성전자는 또 자체적으로 반도체를 설계하고 스마트
헬로티 서재창 기자 | TSMC가 올해 사상 최대 규모의 투자계획을 밝히면서 반도체 업계가 긴장하는 분위기다. TSMC의 공격적인 투자 행보는 삼성전자의 추격을 따돌리고 파운드리 분야에서 독주 체제를 굳히겠다는 의도로 풀이된다. 이에 맞서 삼성전자도 대규모 증설과 초미세 공정기술로 TSMC를 뒤쫓고 있다. 16일 외신과 업계에 따르면 최근 TSMC는 올해 400∼440억 달러(약 47조5000억∼52조3000억 원) 규모의 설비투자 계획을 발표했다. 이는 지난해 TSMC의 투자 규모인 300억 달러를 100억 달러 이상을 웃도는 역대 최대치다. TSMC는 올해 투자액 가운데 70~80%를 2·3·5·7나노미터 공정 개발에 투입할 예정이다. 박재근 한국반도체디스플레이기술학회장(한양대 융합전자공학부 교수)은 "최근 2~3년간 데이터 서버와 전기차, 메타버스 등에서 반도체 수요가 늘면서 이를 생산하는 파운드리 시장 규모도 커졌다"며, "반도체 업종은 공격적인 투자를 통해 기술을 확보하고 생산량이 많아지면 주문을 독식하는 구조인 만큼 TSMC가 대규모 투자를 통해 고객을 선점하겠다는 취지로 보인다"고 해석했다. 현재 파운드리 시장 점유율(작년 3분기 기준)은 대만
헬로티 서재창 기자 | TSMC가 기존 예상보다 1년 이른 내년 여름 삼성전자를 제치고 세계 최초로 3㎚ 반도체 양산에 들어간다고 대만 연합보(聯合報)가 10일 현지 공급망 소식통을 인용해 보도했다. 보도에 따르면 TSMC는 인텔의 주문을 받아 3㎚ 공정이 적용된 서버용 중앙처리장치(CPU)와 그래픽처리장치(GPU) 생산을 준비 중이다. TSMC는 내년 2월부터 대만에서 3㎚ 공정 생산라인을 가동해 7월부터 인텔이 주문한 CPU와 GPU를 양산할 계획이다. 계획대로라면 TSMC는 파운드리 경쟁사인 삼성전자를 제치고 세계 최초로 초미세 공정에 해당하는 3㎚ 반도체 제품을 생산하는 기업이 된다. 이는 기존 시장의 예측을 1년 이상 앞당긴 것이라고 연합보는 전했다. 현재 TSMC와 삼성전자는 모두 5㎚ 공정이 적용된 시스템 반도체 제품을 양산 중인 가운데 차세대 미세 공정 기술 연구·개발 경쟁도 치열하게 전개되고 있다. 연합보는 "이는 인텔이 3㎚ 공정 기술에서 TSMC가 삼성보다 앞선다는 점을 인정한 것으로서 (TSMC의) 선도 지위를 더욱 강화하게 될 것"이라고 의미를 부여했다. 연합보는 또 TSMC가 내년 6월부터는 애플의 주문을 받아 3㎚ 애플리케이션 프로
[헬로티=이나리 기자] 파운드리 시장에서 3나노미터(nm), 5나노미터 생산 시설 용량을 확대하기 위한 TSMC와 삼성전자의 시설 투자가 올해 상반기에 이어 하반기에도 계속될 것으로 보여지면서 양사의 경쟁이 더욱 심화되고 있다. 파운드리 시장에서 경쟁력을 위해서는 미세공정 기술을 확보하는 것이 핵심이다. 미세공정이 중요한 이유는 반도체 회로의 선폭 크기를 작게 할수록 똑같은 크기의 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 만들 수 있어서 생산성은 높아지고 가격은 저렴해지기 때문이다. 따라서 미세 공정 기술 개발은 향후 고객사 확보에 큰 영향을 미치게 된다. 특히 스마트폰 시장에서는 5나노 공정 노드를 갖춘 5G 칩셋 출시에 관심이 집중되고 있기 때문에 앞으로 많은 수요가 예상된다. 현재 7나노 미만의 공정 기술을 확보한 기업은 TSMC와 삼성전자가 유일하기 때문에 양사의 기술 개발에 관심이 모아진다. ▲2020년 2분기 파운드리 시장 점유율(자료:트랜드포스) 시장조시기관 트랜스포스에 따르면 2020년 2분기 파운드리 시장 점유율에서 TSMC는 51.5%로 전체 시장의 절반 이상을 차지하며 압도적인 1위를 차지하고 있다. 그러나 TSMC의 2분기 실적은 지난 1분기 점유율
[첨단 헬로티] 반도체 미세공정 한계를 극복할 수 있는 기술로 평가받는 ‘극자외선(EUV:Extreme Ultra Violet)’에 대한 이해도가 한 단계 높아질 전망이다. 한국반도체연구조합은 오는 6월 19일, 서울 양재동 엘타워 7층에서 ‘반도체 EUV 기술 글로벌 컨퍼런스’를 개최한다고 밝혔다. 이번 컨퍼런스에서는 삼성전자와 SK하이닉스 등 EUV 생태계에 속한 국내외 다양한 소자 장비 재료 회사가 참가한다. 또, 멘토 지멘스 비즈니스, KLA, 에드워드, JSR-EM, 칼자이스 SMT, 인테그리스 등에서는 본사에서 전문가가 참석해 최신 기술 동향을 공유하고, 국내 기업인 에프에스티와 에스앤에스텍도 현재 개발 중인 EUV 기술을 알릴 방침이다. 컨퍼런스에서는 6월 10일(현지시간)부터 13일까지 미국 캘리포니아에서 열리는 ‘2019 EUVL 워크숍(euvlitho.com)’의 주요 발표를 되짚는 리뷰 세션도 마련됐다. EUV는 포토 리소그래피(Photo Lithography)라 부르는 노광(露光) 공정에 사용된다. 노광은 웨이퍼에 빛을 쬐여 회로 패턴을 그리는 공정이다. EUV는 빛 파장이
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