프로덕트 코보, 온 저항 수치 제공하는 1200V SiC FET 시리즈 발표

800V로 버스 전압 구를 옮기려는 개발 환경을 지원 코보는 온-저항 수치를 제공하는 차세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) FET 시리즈를 발표했다. 1200V Gen4 SiC FET의 새로운 UF4C/SC 시리즈는 800V 버스 구조의 전기차용 OBC, 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원공급장치, DC/DC 태양광 인버터를 비롯해 용접기, 무정전 전원공급장치(UPS), 인덕션 애플리케이션에 이상적이다. 코보의 아눕 발라(Anup Bhalla) 파워 디바이스 담당 수석 엔지니어는 "우리는 1200V까지 확장된 UnitedSiC의 차세대 고성능 Gen4 옵션을 통해 800V로 버스 전압 구조를 옮기려는 개발자에게 더 나은 지원을 제공한다"고 말했다. 이어 그는 "전기차에서는 이처럼 높은 전압으로의 전환이 불가피하며, 네 가지의 서로 다른 RDS(on) 값을 가진 이러한 차세대 신제품들은 설계 시 개발자가 최적의 SiC를 선택하도록 도와준다"고 말했다. 23, 30, 53 및 70mΩ의 RDS(on) 값을 나타내는 모든 제품들은 업계 표준 TO-247-4L 패키지로 제공돼 보다 높은 성능 레벨에서도 저잡음의 스위칭을 제공한다. 53 및 70mΩ 제품의 경우

• 서재창 기자
• 2022-05-11 13:42