프로덕트 온세미, 초고효율 IGBT FS7 스위치 플랫폼 개발

지능형 전력 및 센싱 기술 기업인 온세미는 업계 최고 수준의 성능으로 전도(conduction) 및 스위칭 손실을 최소화하는 새로운 초고효율 1200V 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(insulated-gate bipolar transistors, 이하 IGBT)를 개발했다고 21일 밝혔다. 해당 디바이스는 고속 스위칭 애플리케이션의 효율성을 향상시키기 위해 주로 태양광 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 에너지 저장 장치 및 전기차(EV) 충전 전력 변환과 같은 에너지 인프라 애플리케이션에 사용될 예정이다. 새로운 1200V 트렌치 필드 스톱(Trench Field Stop) VII(이하 FS7) IGBT는 고전압(부스트 스테이지)에 대한 입력을 증가시키는 데 사용되며, 인버터는 높은 스위칭 주파수 에너지 인프라 애플리케이션에서 AC 출력을 제공한다. FS7 디바이스의 스위칭 손실이 낮기 때문에 더 높은 스위칭 주파수를 가능하게 한다. 따라서 자성 부품의 크기를 줄이고 전력 밀도를 높이며 시스템 비용을 절감할 수 있다. 고전력 에너지 인프라 애플리케이션의 경우, FS7 디바이스의 양의 온도 계수를 통해 병렬 작동이 가능하다. 온세미 파워 솔루션 그룹

• 이창현 기자
• 2023-03-21 13:44