TSMC "공장 건설에 적합한 용지를 지속해 평가할 것" TSMC가 일본 오사카 지역에 첨단 3㎚ 공장을 건설할 가능성이 매우 높은 것으로 알려졌다. 2일 자유시보와 공상시보 등 대만언론은 소식통을 인용해 TSMC가 일본에 3번째 공장을 건설할 계획이라며 이같이 보도했다. TSMC는 현재 일본 남부 구마모토현에 현지 첫 공장을 건설 중이며 내달 24일 준공식(공식 행사명은 개막식)을 열 예정이다. 이후 올해 구마모토에서 제2공장을 착공하고 2026년 말 7나노 공정 제품을 생산할 것으로 알려졌다. 이런 상황 속에 TSMC가 오사카 제3공장 건설을 적극적으로 검토하고 있다는 것이다. 한 관계자는 TSMC는 이미 일본 요코하마와 오사카 지역에 일본반도체설계센터(JDC)를 2020년 1월과 2022년 12월에 각각 개설했다고 설명했다. 그는 TSMC의 반도체 설계센터가 본사 연구·개발(R&D) 센터 직속 조직이라고 덧붙였다. 다른 관계자는 JDC가 5나노와 7나노의 최신 공정 R&D와 종합반도체기업(IDM)의 집적회로(IC) 설계를 전문적으로 담당하고 있다고 전했다. 그러면서 특히 오사카 지역이 요코하마 지역보다 편리한 지리적 조건을 갖추고 있다고
대만 언론, TSMC 3분기 매출 전 분기보다 증가한 약 175억 달러 예상 TSMC의 지난달 매출액이 전년 동기보다 4.9% 감소한 것으로 나타났다. 11일 자유시보 등 대만언론에 따르면, TSMC는 전날 매출 보고에서 지난달 연결기준 매출이 1776억1600만 대만달러(약 7조3000억 원)로 집계됐다고 밝혔다. 이는 지난해 동기보다 4.9% 줄어든 것이다. 다만 TSMC는 지난달 매출이 6월 매출과 비교하면 13.6% 증가했다고 밝혔다. 이는 최근 6개월 동안 월별 매출로는 최고치다. 올해 1∼7월의 매출액은 1조1670억9000만 대만달러로 전년 동기에 비해 3.7% 감소했다. 대만 언론들은 TSMC가 3분기 매출을 167억∼175억 달러로 직전분기 대비 6.5∼11.6% 증가할 것으로 예상한다고 전했다. 이 같은 예상은 TSMC의 3㎚ 공정 제품 수요의 강세로 전반적인 영업이 회복될 것이란 전망에 따른 것이다. 다만 대만 매체들은 고객사의 지속적인 반도체 재고 조정으로 인한 여파를 계속 지켜볼 필요가 있다고도 대만 전했다. 헬로티 서재창 기자 |
1기 공정 시설은 내년 가동 시작, 2기 공정 시설은 2026년 운영 개시 예정 TSMC는 29일 미국 애리조나 공장의 건설에 속도를 내기 위해 대만에서 더 많은 전문 인력을 현지로 파견할 것이라고 밝혔다. 로이터 통신에 따르면, TSMC는 이날 성명을 통해 이같이 밝히면서 추가로 애리조나에 파견될 인력은 미국에 한시적으로 머물 것이라고 알렸다. 다만 현재 애리조나 공장 건설을 위해 얼마나 많은 직원이 대만에서 현지로 파견됐는지, 추가로 파견될 인력의 규모는 어느 정도인지 공개하지 않았다. TSMC가 400억 달러를 투자한 애리조나 공장의 1기 공정 시설은 내년에 가동을 시작하고, 첨단 3㎜ 칩을 생산할 것으로 전망되는 2기 공정 시설은 2026년 운영을 개시할 계획이다. TSMC는 "현재 (애리조나 공장의) 정교한 시설 내 모든 최첨단 맞춤형 장비를 다루는 중요한 단계에 있기에 숙련된 전문지식이 필요하다"고 밝혔다. TSMC의 애리조나 공장은 조 바이든 미국 행정부의 반도체 공급망 재편 노력의 중심에 놓여있다. 바이든 대통령은 지난해 12월 이 공장의 장비 반입식에 참석해 미국 제조업 부활 의지를 거듭 확인했다. TSMC는 2기 공정 시설까지 완공되면 애리
3나노 양산 시작되면, 글로벌 IT 기업들이 잠재 고객될 것으로 보여 삼성전자가 지난 30일 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3㎚(10억 분의 1ｍ) 파운드리 공정 양산을 공식 발표함에 따라 업계의 판도 변화가 예상된다. 삼성전자의 3나노 양산은 업계 1위인 대만 TSMC보다 한발 앞선 것으로, 메모리 분야에 이어 파운드리 분야에서도 삼성의 '초격차 전략'이 본격적으로 속도를 내는 모습이다. 삼성이 양산을 시작한 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 3나노는 반도체 칩의 회로 선폭을 머리카락 굵기의 10만 분의 3 수준으로 좁힌 것으로, 회로의 선폭을 가늘게 만들수록 더 많은 소자를 집적할 수 있어 성능을 높이는 데 유리하다. 삼성은 이런 초미세 공정의 한계를 돌파하기 위해 기존의 핀펫 기술 대신 업계 최초로 GAA 기술을 적용했다. GAA는 핀펫의 3차원 구조와 비교해 전류가 흐르는 통로인 채널의 아랫면까지 모두 게이트가 감싸 전류 흐름을 세밀하게 제어하는 기술이다. 핀펫이 가지는 3나노 이하 공정의 한계를 극복할 수 있어 차세대 파운드리의 게임 체인저로 꼽혀왔다. 삼성전자는 이에 더해 채널을 얇고 넓
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