일반뉴스 KAIST, 그래핀 기반 2차원 반도체 소자 시뮬레이션 양자 도약 달성

2차원 터널링 트랜지스터 내 원자 결함에 의한 비선형 소자 특성 세계 최초로 규명 반도체 연구·개발 분야에서 세계적으로 경쟁력 있는 나노 소자 전산 설계 원천기술 확보 국내 연구진이 기존에는 불가능했던 원자만큼 얇은 2차원 반도체 소자의 엄밀한 양자역학적 컴퓨터 시뮬레이션을 성공적으로 구현하고 이를 기반으로 원자 결함에 의해 발생하는 특이한 소자 특성을 세계 최초로 보고했다. KAIST는 전기및전자공학부 김용훈 교수 연구팀이 자체적으로 개발한 양자 수송 이론을 통해 세계 최초로 그래핀 전극 간 전자의 터널링 현상으로 작동하는 2차원 터널링 트랜지스터의 제1원리 시뮬레이션을 수행하는 데 성공했다고 4일 밝혔다. KAIST 전기및전자공학부 김태형 박사과정과 이주호 박사가 공동 제1저자로 참여한 이번 연구는 소재 계산 분야의 권위 있는 학술지 `네이쳐 파트너 저널 컴퓨테이셔널 머터리얼즈(Npj Computational Materials)' 3월 25일자 온라인판에 게재됐다. 제1원리 시뮬레이션이란 슈퍼컴퓨터에서 원자 수준의 양자역학 계산을 수행해 실험적 데이터나 경험적 모델의 도움 없이 물질의 특성을 도출하는 방법으로 제1원리 계산을 통한 평형 상태의 소재 연구는

• 이동재 기자
• 2022-04-04 14:28