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일반뉴스 ST, 이탈리아에 통합 실리콘 카바이드 기판 제조시설 구축

유럽 최초의 SiC 에피택셜 기판 제조시설…자동차 및 산업용 고객의 전기화 및 고효율화 전환 지원 ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 통합 실리콘 카바이드(SiC: Silicon Carbide) 기판 제조시설을 이탈리아에 구축한다고 7일 발표했다. ST 고객들이 전기화로의 전환과 더 높은 효율성을 추구함에 따라 자동차 및 산업용 애플리케이션 전반에 걸쳐 증가하는 SiC 디바이스에 대한 수요를 지원할 예정이다. 오는 2023년부터 생산이 시작되면, 내부와 유통 시장 간의 SiC 기판 공급이 균형적으로 이루어질 것으로 예상된다. 이탈리아 카타니아에 구축된 기존 SiC 디바이스 제조시설과 함께 이번 SiC 기판 제조시설은 모든 단계의 생산 플로우를 통합해 150mm SiC 에피택셜 기판을 대량 생산하는 유럽 최초의 시설이 된다. ST는 차세대 200mm 웨이퍼 개발에도 주력하고 있다. 이 프로젝트는 ST의 SiC 사업에 대한 수직적 통합 전략을 발전시키는 핵심 단계이다. 5년 동안 7억3000만 유로(한화 약 1조 165억원)에 달하는 자금을 국가회복 및 복원계획의 틀에 따라 이탈리아 정부에서 지원받고, 완공되면 약 700개의 추가 일자리를 직접적으로 창출하게

이창현 기자

2022-10-07 10:40

일반뉴스 [테크니컬 리포트]WInSiC4AP: 고신뢰성 애플리케이션용 고성능 SiC 전력 기술 개발

[첨단 헬로티] 수년간의 개발을 통해 ST의 6인치 SiC 웨이퍼 생산은 2017년부터 시작됐으며 태양광 인버터, 산업용 모터 드라이브, 가전기기, 전원 어댑터와 같은 다양한 애플리케이션을 위해 SiC 제품 공급을 늘리고 가격을 낮출 수 있게 됐다. ST는 이러한 성공을 바탕으로 HV 전력 기술 개발을 가속화하면서 2017년 6월에 ECSEL JU 프로젝트인 WInSiC4AP에 가입하고, 기초 기술, 프론트 엔드, 패키지, 시스템 애플리케이션 개발을 위한 다수의 R&D 팀에 참여해 활동해 왔다. 이 프로젝트에서 ST의 활동은 주로 1200V 및 650V SiC 디바이스, 설계 방법론, 파워 모듈, 신뢰성과 관련되어 있다. ST마이크로일렉트로닉스는 20년 전부터 실리콘 카바이드를 이용한 연구를 해왔다. 경쟁력 있는 가격대로 높은 품질과 긴 수명을 요구하는 반도체 시장에서 새로운 기술을 개발하는 일은 결코 쉽지 않았다. ST는 이 와이드 밴드갭 소재를 상용화하기 위한 과제들을 극복하고, 2004년에 최초의 SiC 다이오드 생산을 시작했다. 2009년에는 최초의 SiC MOSFET 생산을 시작했으며, 이에 대한 후속으로 기존의 650V 제품에 더해 SiC

이나리 기자

2020-03-26 15:29