테크노트 FinFET, Physical IP의 현명한 선택을 가능하게 하다

반도체 산업은 계속적인 성능과 밀도 개선을 위해 IC 제작 방식에서 중대한 변화를 요구하고 있으며, 이러한 변화는 설계 방식에 영향을 미칠 가능성이 있다. finFET 개념을 기반으로 하는 3차원 트랜지스터 구조는 20nm 세대의 평면 트랜지스터를 사용했을 때보다 성능이 우수하다. 때문에 파운드리(반도체 수탁생산업체)는 finFET 개념을 기반으로 하는 3차원 트랜지스터 구조를 사용한 14nm 및 16nm 공정으로 확대하고 있다. 그림 1. 주파수 범위에서 향상된 누설 제어 캐리어가 이동하는 채널을 높이면 게이트는 세 측면을 중심으로 감싸져 게이트의 정전기 제어력이 훨씬 강력해진다. 이렇게 되면 과도한 누설과 벌크 실리콘 웨이퍼에서 만들어진 나노미터 크기의 평면 트랜지스터가 가진 짧은 채널(Short-channel Length)이라는 단점이 극복된다. 3차원 게이트가 가진 또 다른 장점은, 평면 소자보다 단위 면적당 구동전류가 높다는 것이다. 핀(Fin)의 높이를 이용하면 게이트 길이가 동일한 평면 소자보다 유효 부피가 큰 채널을 만들 수 있다. 이는 실질적인 성능 개선으로 이어진다. FinFET으로 개선된 성능은 벌크 대비 동일한 전력 공급에서 더 높은 주

• 2014-09-26 14:10