일반뉴스 TI, 1.2mm2 FemtoFET 60V N-채널 전력 MOSFET 출시

TI(대표 켄트 전)는 업계 최저 저항을 달성하는 새로운 60V N 채널 FemtoFET 전력 트랜지스터 제품을 출시한다. CSD18541F5은 기존의 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성해 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또한, 극소형의 1.53mm x 0.77mm 실리콘 기반 패키지로 제공돼 SOT-23 패키지인 부하 스위치보다 풋프린트가 80% 절감됐다. CSD18541F5 MOSFET은 54mW의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며, 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화되었다. 또한, 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조 시에 탑재를 용이하게 한다. CSD18541F5은 TI NexFET™ 기술 포트폴리오의 FemtoFET MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게 한다. TI가 강조하는 CSD18541F5의 주요 기능 및 장점은 4가지로 요약된다. 첫째, 10V 게이트-대-소스(VGS) 전압조건에서 기존의 60V 부하 스위치 보다 90% 작은 54mW의 극히 낮은 Rd

• 2016-07-13 17:55