일반뉴스 삼성전자, 용량 2배 늘린 ‘256Gb 3차원 V낸드’ 양산

삼성전자가 세계 최초로 기존 2세대(32단) 128기가비트 낸드보다 용량을 2배 향상시킨 256기가비트 3차원 V낸드’ 양산에 성공했다. 이번 256기가비트 V낸드는 데이터를 저장하는 3차원 셀(Cell)을 기존(32단)보다 1.5배 더 쌓아 올리는 삼성전자의 ‘3세대(48단) V낸드 기술’이 적용된 업계 최고 용량의 메모리 칩이다. 256기가비트 V낸드는 칩 하나만으로도 스마트폰에 탑재하는 32기가바이트 용량의 메모리카드를 만들 수 있으며, 기존 128기가비트 낸드가 적용된 SSD와 동일 크기를 유지하면서 용량을 2배 높일 수 있어 테라 SSD 대중화를 위한 최적의 솔루션을 제공한다. 이번에 양산을 시작한 3세대 V낸드는 셀(Cell)이 형성될 단층을 48단으로 쌓고 나서 약 18억개의 원형 홀을 수직으로 뚫은 다음, 총 853억개 이상의 셀을 고속 동작시키며, 각 셀(Cell)마다 3개의 데이터(3비트)를 저장할 수 있어 총 2,560억개의 데이터를 읽고 쓴다. 특히 3차원 원통형 CTF(3D Charge Trap Flash) 셀 구조와 48단 수직 적층 공정, 3비트 저장기술을 적용해 2세대 V낸드보다 데이터를 더욱 빠르

• 2015-09-17 10:16