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일반뉴스 SK하이닉스 이천 반도체 팹 찾은 이재명, “도 차원에서 적극 지원할 것”

[헬로티] 10나노급 D램 양산 주력 M16, 80조 생산유발, 34만8000명 고용창출 효과 기대 3월 용인시 산단계획 승인 예정인 용인반도체클러스터와 상승 효과 불러일으킬 것 ▲SK하이닉스 방문한 이재명 지사. (출처 : 경기도청) 이재명 경기도지사가 18일 최근 신규 준공한 이천 SK하이닉스 M16 공장을 방문, 기술독립과 반도체 산업 활성화에 대한 경기도 차원의 지원을 아끼지 않겠다는 뜻을 밝혔다. 이번 현장방문은 M16 공장 준공을 축하하면서 직접 생산 환경을 면밀히 살피고 이석희 SK하이닉스 대표이사 등 기업 관계자들로부터 의견을 청취해 도 차원의 지원방안을 모색하기 위해 마련됐다. 이번에 가동을 시작한 SK하이닉스의 신규 반도체 공장 ‘M16’ 팹(FAB, Fabrication)은 2015년 준공한 M14(이천), 2018년 준공한 M15(청주)에 이어 세 번째로 완성된 SK하이닉스의 신규 생산라인이다. M16은 축구장 8개에 해당하는 5만7000㎡(1만7000여평) 부지면적에 아파트 37층에 달하는 105m로 조성됐다. 이는 현재까지 SK하이닉스가 보유한 생산 시설 중 가장 큰 규모다. 이곳에선 4세대 10나노급 D램을 양

이동재 기자

2021-02-19 14:30

일반뉴스 삼성전자, 최고 성능의 10나노급 8기가비트 DDR4 D램 양산

삼성전자가 반도체 기술의 한계를 돌파하고, ‘10나노급 D램 시대’를 열었다. 삼성전자는 지난 2월부터 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다. 이번 제품에는 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique ; 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 3가지 혁신 기술이 적용됐다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다. 초고집적 설계 기술은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작 속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소

2016-05-03 17:04