일반뉴스 삼성전자, “28나노 FD-SOI 공정 기반 ‘eMRAM’ 출하…IoT·AI에 최적의 솔루션 제공할 것”

▲ 삼성전자 파운드리 생산라인 전경 [첨단 헬로티] 삼성전자가 ‘28나노 FD-SOI(Fully Depleted-Silicon on Insulator : 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터) 공정 기반 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory : 내장형 MRAM)’ 솔루션 제품을 출하했다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 공정으로 MRAM은 비휘발성(전원을 꺼도 데이터가 유지됨)이면서도 D램(DRAM) 수준으로 속도가 빠르다는 특성을 가진 메모리 반도체다. 즉, 이 두 기술을 합쳐 전력을 적게 소모하면서 속도는 빠르고, 소형화가 쉬우면서도 가격을 낮춘 차세대 내장 메모리를 만들겠다는 것이다. 내장형(embedded) 메모리는 사물인터넷(IoT) 기기 등 소형 전자제품에 사용되는 MCU(Micro Controller Unit)나 SoC 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다. 주로 플래시(Flash)를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 사용된다. 그러나 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼

• 김원정 기자
• 2019-03-07 07:44