일반뉴스 생산비용 절감 이끄는 전이금속 화합물 합성법 개발돼

[헬로티] 촉매로 사용 시 수소 생산 성능 우수해 “트랜지스터, CMOS 등 반도체 소자 재료 개발에도 적용 가능할 것” ▲UNIST의 이정현 연구원(왼쪽)과 박혜성 교수(오른쪽). 전이금속 화합물을 합성하는 과정에서 내부 구조에 인위적인 ‘원자 구멍’(공극결함, vacancy)을 만들어 전기적·물리적 특성을 제어하는 새로운 기술이 나왔다. UNIST 개발진이 이황화몰리브덴(MoS2) 구조 내부에 공극결함(황 원자의 빈자리)을 균일하게 ‘도핑’(doping)하는 기술을 개발했다. 이 기술은 화합물 합성에 투입하는 액체 원료 비율을 조정함으로써 합성 과정 중에서 공극결함을 만드는 방식이다. 기존 방식과 달리 단번에 공극결함이 균일하게 분포된 전이금속 화합물을 상용화 가능한 큰 크기로 만들 수 있어 주목을 받고 있다. 기존의 공극결함 도핑 방식은 고체 전구체를 이용해 전이금속 화합물을 먼저 합성한 뒤 여기에 다시 600도(℃)이상의 고온 열처리나 플라즈마 처리 같은 후처리 공정 거쳐 원자를 ‘뜯어내는’ 방식이다. 이 방식은 공정 단계가 복잡하고 합성 면적이 넓어질수

• 이동재 기자
• 2021-01-01 16:21