일반뉴스 ST, 간단하고 유연한 설계 가능하게 하는 풀 브리지 SiP 출시

[첨단 헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 600V/8A 단상 MOSFET 풀 브리지를 통합한 13x11mm 크기의 PWD13F60 SiP(System-in-Package)를 출시했다. 이 제품은 산업용 모터 드라이브, 램프 안정기, 전원공급장치, 컨버터, 인버터의 보드 공간을 줄이면서 재료비 절감에도 도움을 준다. ▲ST의 새로운 풀 브리지 SiP 'PWD13F60' 또한 디스크리트 부품으로 구현된 다른 동급 회로에 비해 풋프린트가 60% 더 작기 때문에 최종 애플리케이션의 전력 밀도 향상도 가능하다. 4개의 전력 MOSFET을 통합해 시장에 공급되고 있는 일반적인 듀얼-FET 하프-브리지나 6-FET 3-상 디바이스와 같은 모듈을 효율적으로 대체하는 솔루션이라고 할 수 있다. 이 모듈은 풀-브리지 한 개나 하프-브리지 2개로도 유연하게 구성이 가능하다. ST의 고전압 BCD6s-offline 제조공정을 적용한 PWD13F60은 전력 MOSFET을 위한 게이트 드라이버와 하이-사이드 구동에 필요한 부트스트랩 다이오드를 통합하고 있기 때문에 외부 부품을 사용할 필요가 없어 보드 설계를 간소홯할 수 있으며 어셈블리 구현 또한 쉽다. 이 게이트 드라이

• 정가현 기자
• 2017-12-08 21:41