저전력 애플리케이션 위해 지속 가능한 설계의 새로운 표준 설정 넥스페리아가 NEH71x0 전력관리 IC(PMIC) 제품군을 출시하며 에너지 하베스팅 포트폴리오를 확장했다. 우수한 성능, 원가 절감 및 다기능성을 특징으로 하는 이 고급 PMIC 라인은 저전력 애플리케이션을 위해 지속 가능한 설계의 새로운 표준을 설정해준다. 이 소자들은 경쟁 제품들과 달리 외부 인덕터를 필요로 하지 않으므로 PCB 공간과 BOM(Bill-of-Materials) 비용이 크게 절감된다. 콤팩트한 4mm x 4mm QFN28 패키지는 집적도의 유연성을 향상시켜준다. 이 제품들은 원격 제어, 열쇠 고리, 스마트 태그, 자산 추적기, 재실 감지 센서, 환경 모니터, 웨어러블, 키보드, 타이어 공기압 모니터를 비롯해 다양한 사물 인터넷(IoT) 응용 분야에 적용된다. 이 새로운 PMIC들은 에너지 하베스팅을 위한 완벽한 전력 관리 솔루션으로 엔지니어가 배터리 수명을 연장할 수 있도록 지원한다. 배터리 또는 슈퍼 커패시터 충전이 가능하며 콜드 스타트 기능을 활용해 특정 설계에서 배터리를 제거할 수도 있다. 설계자들은 NEH71x0(NEH7100BU, NEH7110BU) PMIC를 사용해
넥스페리아(Nexperia)가 구리 클립 ‘CCPAK1212 패키지’의 새로운 80V·100V 전력 모스펫(MOSFET)제품군 16종을 출시한다고 10일 밝혔다. 넥스페리아의 구리 클립 설계는 높은 전류 전도, 감소된 기생 인덕턴스 및 우수한 열 성능을 제공한다. 이러한 특징으로 인해 소자들은 모터 제어, 전원 공급 장치, 재생 에너지 시스템을 비롯해 전력 소모가 많은 응용 제품에 이상적이다. 이 제품군에는 AI 서버 핫스왑 기능을 위해 설계된 주문형 모스펫(ASFET)도 포함된다. 벤치마크 PSMN1R0-100ASF는 460A를 전도하고 1.55KW의 전력을 방출할 수 있는 0.99mΩ 100V 전력 모스펫이지만 기판 공간이 12mm x 12mm에 불과한 CCPAK1212 패키지 실장 면적을 자랑한다. PSMN1R0-100CSF는 상부 냉각 버전에서 유사한 수치들을 제공한다. CCPAK1212의 ‘CC’는 구리 클립의 약자인데 이는 전력 모스펫 실리콘 다이가 두 개의 구리 조각 즉 한쪽에는 드레인 탭, 다른 쪽에는 소스 클립이 끼워져 있음을 의미한다. 이렇게 와이어 본드를 완전히 제거해 최적화된 어셈블리는 낮은 온 저항, 감소된 기생 인덕턴스, 높은 최대
연구 통해 NextPower 80/100V MOSFET에서 생성되는 스파이크 수준 크게 줄여 넥스페리아가 오늘 NextPower 80V 및 100V MOSFET 포트폴리오를 업계 표준 5mm x 6mm 및 8mm x 8mm 실장 면적의 새로운 소형 폼팩터 패키지인 'LFPAK'로 늘리고 있다고 발표했다. 이 새로운 NextPower 80/100V MOSFET은 낮은 RDS(on)및 낮은 Qrr에 최적화해 서버, 전원 공급 장치, 고속 충전기, USB-PD를 비롯해 통신, 모터 제어, 기타 다양한 산업용 장비에서 높은 효율과 낮은 스파이크를 제공한다. 이에 설계자는 1.8mΩ에서 15mΩ에 이르는 RDS(on) 값의 80V 및 100V 소자를 필요에 따라 선택하게 됐다. 여러 MOSFET 제조업체들은 타사 제품들과 비교해 소자의 스위칭 성능을 벤치마킹할 때 낮은 QG(tot) 및 낮은 QGD를 통해 높은 효율성을 달성하는 데 중점을 둔다. 그러나 넥스페리아는 광범위한 연구를 통해 스파이킹에 미치는 영향과 소자 전환 중에 생성되는 전자기 간섭(EMI)의 양으로 인해 Qrr이 훨씬 더 중요하다는 것을 확인했다. 넥스페리아는 이 매개변수에 집중함으로써 NextPow
마우저 일렉트로닉스는 정전기 방전(electrostatic discharge, ESD) 보호 부품의 포트폴리오를 지속적으로 확장하고 있다고 26일 밝혔다. 전자 장치의 지속적인 발전과 소형화로 인해 효과적인 ESD 보호 솔루션이 그 어느 때보다 중요해지고 있다. ESD 보호 조치를 취하면, ESD 발생으로 인한 즉각적, 잠재적 또는 치명적인 피해로부터 전자부품을 보호하고 디바이스의 지속적인 신뢰성을 보장할 수 있다. 이러한 보호 부품은 최신 전자 제품의 필수 요소가 됐으며 스마트폰 및 노트북과 같은 소비가전 제품에서부터 산업용 장비 및 차량용 시스템에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 걸쳐 ESD로부터 민감한 전자 제품을 보호하는 중요한 역할을 하고 있다. 마우저는 다음과 같은 솔루션을 비롯해 다양한 최신 ESD 보호 제품을 공급하고 있다. TI(Texas Instruments)의 ESD2CANx-Q1 ESD 보호 다이오드는 ISO 10605 자동차 표준에 명시된 접촉 ESD 스트라이크에 대한 소멸 등급을 갖춘 AEC-Q101 인증 솔루션이다. 이 제품은 2개의 차량용 CAN(controller area network) 버스 라인(CANH 및 CANL)에 적합
넥스페리아(Nexperia)가 전력 소자 포트폴리오에 NPS3102A 및 NPS3102B 전자 퓨즈(eFuse)를 추가한다고 26일 밝혔다. 이 저저항(17mΩ), 고전류(13.5A)의 리셋 가능한 전자 퓨즈는 과도한 전압에 노출되지 않도록 다운스트림 부하를 보호하는 동시에 부하 오류 및 큰 돌입 전류로부터 전원 공급 장치를 보호하는 데 도움이 된다고 넥스페리아는 설명했다. 이번에 출시된 제품들은 솔리드 스테이트 및 하드 디스크 드라이브, 서버, 이더넷 스위치 및 라우터와 같은 데이터 센터에 사용되는 엔터프라이즈 통신을 비롯해 스토리지 장비 등 다양한 12V 핫 스왑 애플리케이션에 사용하도록 설계됐다. 또한 5G 무선 헤드와 같은 모바일 통신 인프라를 비롯해 PLC(Programmable Logic Controller) 등 산업 자동화 장비를 보호하는 데에도 사용된다. NPS3102A 및 NPS3102B 제품은 넓은 입력 전압 범위(21V abs. max)를 가지며 전압 강하 및 전력 손실을 최소화하는 저저항 통과 모스펫(MOSFET)을 집적하고 있다. 이 기능은 작동 효율성을 높이는 데 도움이 된다. 전류 클램프 한계 값은 ILIM 핀의 저항기를 사용해 2
전기차를 비롯한 자동차의 다양한 차내 응용 분야에 적합해 넥스페리아가 오늘 650V, 10A 실리콘 카바이드(SiC) 쇼트키 다이오드의 자동차 인증(PSC1065H-Q) 획득을 발표했다. 2핀(R2P) DPAK(TO-252-2) 패키징으로 제공되는 이 소자는 전기차를 비롯한 자동차의 다양한 차내 응용 분야에 적합하다. 넥스페리아는 SiC 다이오드 포트폴리오를 추가로 확장해 TO-220-2, TO-247-2 및 D2PAK-2 패키징에서 정격 전류가 6A, 16A 및 20A인 산업용 등급 소자도 제공함으로써 설계 유연성을 높여주고 있다. 이 다이오드 제품들은 스위치 모드 전원 공급 장치, AC-DC 및 DC-DC 컨버터, 배터리 충전 인프라, 모터 드라이브, 무정전 전원 공급 장치 및 지속 가능한 에너지 생산용 태양광 인버터 등의 까다로운 고전압 및 고전류 응용 제품이 갖는 문제를 해결한다. 이 소자의 병합된 PiN 쇼트키(MPS) 구조는 서지 전류에 대한 뛰어난 견고성으로 유사한 경쟁 SiC 다이오드에 비해 추가적인 이점을 제공한다. 이에 추가 보호 회로망이 필요하지 않으므로 시스템 복잡성이 크게 줄어, 하드웨어 설계자는 견고한 고전력 응용 제품에서 더 작은
넥스페리아(Nexperia)는 30mΩ, 40mΩ, 60mΩ 및 80mΩ RDSon 값으로 제공되는 D2PAK-7 표면 실장형 (SMD) 패키징의 1200V 실리콘 카바이드(SiC) 모스펫(MOSFET)을 출시했다고 22일 밝혔다. 이 소자는 넥스페리아가 2023년 말에 3핀, 4핀 TO-247 패키지로 출시한 2개의 개별 SiC 모스펫에 이은 후속 제품이다. 이 모스펫은 유연한 패키지 옵션에 17, 30, 40, 60 및 80mΩ의 RDSon 값을 가진 소자들을 포함하도록 계속 출시할 SiC 모스펫 포트폴리오의 최신 제품이기도 하다. 이 제품은 또한 전기 자동차(EV) 충전(충전 파일, 오프보드 충전), 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터 등 다양한 산업 응용 분야에서 점점 더 인기를 얻고 있는 D2PAK-7 같은 SMD 패키지의 고성능 SiC 스위치에 대한 수요를 해결해준다. 이 제품의 개발 배경에는 넥스페리아와 미쯔비시 전기의 전략적 파트너십이 있다. 양사는 이 소자의 출시로 SiC 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 전기적 성능을 한 단계 끌어올리는 동시에 계속 증가하는 시장 수요에 대응해 이 기술의
박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 패널 및 LCD 모듈 수명 연장 넥스페리아가 오늘 공간 절약형 고효율 이중 출력 LCD 바이어스 전력 IC 시리즈를 출시했다. 이 소자들은 스마트폰, 태블릿, 가상 현실(VR) 헤드셋 등의 다양한 애플리케이션에 사용되는 박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 패널 및 LCD 모듈의 수명을 연장하도록 설계됐다. NEX10000는 80mA 이중 출력 LCD 바이어스 전원 공급 소자이며 NEX10001는 최대 220mA의 출력 전류를 제공한다. I²C 프로그래밍 가능 비대칭 전압 출력을 갖는 이 소자들은 내부적으로 보정되며 두 출력 모두에 대해 단일 인덕터만 필요하므로 BOM 및 PCB 면적을 줄여준다. NEX10000/1은 공간 제약이 있는 애플리케이션에 필요한 기판 면적을 최소화하기 위해 15개의 범프와 1.16mm × 1.96mm × 0.62mm 폼팩터를 갖춘 웨이퍼 레벨 칩 스케일 패키지(WLCSP)로 제공되는데 이는 표준 웨이퍼 레벨 패키지보다 훨씬 작다. 넥스페리아의 전력 및 신호 변환 비즈니스 그룹 총괄 책임자인 아이렌 뎅(Irene Den)은 "이 분야 포트폴리오의 첫 번째 제품으로 LCD 바
전기차 충전, UPS, ESS용 인버터 등 고성능 SiC MOSFET 수요 충족할 것으로 보여 넥스페리아가 오늘 RDS(on) 값이 40mΩ 및 80mΩ인 3핀 TO-247 패키지의 1200V 개별 소자 2종 출시로 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 시장에 진출했다고 발표했다. 이번에 선보인 NSF040120L3A0 및 NSF080120L3A0는 넥스페리아가 향후 출시할 SiC MOSFET 제품들 스루홀 및 표면 실장 패키지에 다양한 RDS(on) 값을 가진 포트폴리오의 첫 제품이다. 이 제품들은 전기 자동차(EV) 충전 파일, 무정전 전원 공급 장치(UPS) 및 태양광 및 에너지 저장 시스템(ESS)용 인버터를 포함한 산업 응용 분야에서 필요로 하는 고성능 SiC MOSFET의 수요를 충족시켜준다. 넥스페리아의 카트린 퓨를(Katrin Feurle) 수석 이사 겸 SiC 제품 그룹 책임자는 "당사는 더 많은 와이드 밴드갭 장치 공급업체를 요구해온 이 시장에서 미쓰비시 전기의 혁신적인 기술을 접목했다. 넥스페리아는 높은 RDS(on) 온도 안정성, 낮은 바디 다이오드 전압 강하, 엄격한 임계 전압 사양, 균형 잡힌 게이트 전하비 등 여러 매개변수에서 동급
SiC 와이드 밴드갭 반도체 효율 개선으로 고효율 전력 반도체 수요 대응 넥스페리아가 14일 미쓰비시 전기와 전략적 파트너십을 체결해 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET을 공동 개발한다고 발표했다. 반도체 분야에서 각각의 전문성을 가진 양사는 이번 협력으로 실리콘 카바이드 와이드 밴드갭 반도체의 에너지 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리게 된다. 양사는 이를 통해 고효율 전력 반도체의 급증하는 수요에 대응할 것으로 보인다. 미쓰비시 전기의 전력 반도체 제품군은 고객사가 자동차, 가전 제품, 산업용 장비 및 트랙션 모터 등 다양한 부문에서 에너지를 상당히 절감하도록 해준다. 고신뢰도, 고성능 실리콘 카바이드 모듈 업계에서 기술력을 인정받은 미쓰비시 전기의 제품들은 대표적으로 일본의 신칸센 고속 열차에 채용되고 있다. 넥스페리아는 부품 개발, 생산 및 적격성 평가 분야에서 수십 년의 경험을 보유한 회사다. 넥스페리아는 고효율 및 신뢰성 전력 반도체의 급증하는 수요를 충족하도록 설계된 고품질 와이드 밴드갭 소자를 제공하고 있다. 유럽에 본거지를 두고 자동차 및 산업에서 모바일 및 소비 가전에 이르기까지 다양한 영역의 글로벌 고객사를 확보한 넥스페리아는 특히 개별
넥스페리아(Nexperia)는 자동차 인포테인먼트 애플리케이션에서 USB, HDMI, 고속 비디오 링크 및 이더넷과 같은 인터페이스의 고속 데이터 라인을 보호하도록 설계된 초저 정전 용량 ESD 보호 다이오드 포트폴리오를 확장한다고 11일 발표했다. 이번에 추가된 제품들은 측면 습식 플랭크를 사용해 자동차 생산 라인에서 광학 검사를 가능하게 하는 DFN1006BD-2 패키지의 PESD18VF1BLS-Q, PESD24VF1BLS-Q, PESD30VF1BLS-Q, PESD32VF1BLS-Q등이다. PESD18VF1BBL-Q, PESD24VF1BBL-Q 및 PESD30VF1BBL-Q는 콤팩트한 DFN1006-2 패키지로 제공된다. 이 제품들은 모두 자동차 설계의 소형화를 가능하게 하는 동시에 전기적 성능과 신호 무결성을 개선하기 위해 무연 패키지 구조를 채택한 것이 특징이다. 정전기 방전(ESD) 다이오드는 정전기 방전의 높은 에너지를 발산해 중요한 전자 시스템과 하위 시스템을 보호한다. 이로써 중요한 SoC(시스템 온 칩)을 비롯한 다른 부품들은 시스템 내에서 발생한 ESD로부터 손상되지 않게 된다. 고속 데이터 라인에 다른 부품들을 별도로 추가하면 전송된 데이
"제품 출시로 고전압 스위칭 소자 수요 해결할 것" 넥스페리아가 30A NGW30T60M3DF를 출시해 600V 소자 범위의 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT) 시장에 진출했다. 넥스페리아는 기존의 광범위한 포트폴리오에 IGBT를 추가함으로써 다양한 성능을 저비용에 요구하는 효율적인 고전압 스위칭 소자의 늘어나는 수요를 해결하게 됐다. 이를 통해 5kHz-20kW(20kHz) 범위의 서보 모터와 같은 산업용 모터 드라이브를 비롯해 로봇 공학, 엘리베이터, 작동 그리퍼, 인라인 제조, 전력 인버터, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 태양광(PV) 스트링, EV 충전, 유도 가열, 용접 등 각종 전력 변환 및 모터 드라이브 응용 분야에서 높은 전력 밀도가 가능해졌다. IGBT 시장은 태양 전지판 및 전기차 충전기에 많이 채택됨에 따라 성장할 것으로 예상된다. 넥스페리아의 600V IGBT는 견고하면서도 저비용의 캐리어 저장 트렌치 게이트 고급 필드 스톱 구조를 특징으로 하며 최대 175°C의 작동 온도에서 높은 안정성으로 낮은 전도 및 스위칭 손실 성능을 유지한다. 이로 인해 전력 인버터, 유도 히터, 용접 장비를 비롯해 모터 드라이브 및 서보, 로봇 공학,
데이터 통신·전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 제품 등 전력 변환 효율 개선 넥스페리아가 오늘 저전압(100/150V) 및 고전압(650V) 애플리케이션을 위한 e-모드 구성의 전력용 GaN FET 첫 시리즈를 출시했다. 넥스페리아는 7개의 새로운 e-모드 소자로 캐스코드 제품을 보강함으로써 설계자에게 실리콘 기반 전력 전자 부품 포트폴리오와 함께 GaN FET를 최적으로 제공하는 단일 제조업체가 됐다. 넥스페리아가 이번에 출시한 새로운 포트폴리오에는 DFN 5mm x 6mm 및 DFN 8mm x 8mm 패키지로 선택할 수 있는 5개의 650V 정격 e-모드 GaN FET - 80mΩ에서 190mΩ 사이의 RDS(on) 값이 포함된다. 이 소자들은 고전압, 저전력(<650V) 데이터 통신/전기 통신, 소비 가전 충전, 태양열 및 산업용 응용 제품 등의 전력 변환 효율을 개선시킨다. 이 제품들은 또한 더 높은 토크와 더 높은 출력 값을 가지는 정밀도를 갖춘 브러시리스 DC 모터 및 마이크로 서버 드라이브 설계에도 사용된다. 이 제품들 중에는 WLCSP8 패키지로 제공되는 100V(3.2mΩ) GaN FET와 FCLGA 패키지로 제공되는 15
낮은 클램핑 전압과 결합돼 IVN 위한 높은 시스템 레벨 견고성 나타내 넥스페리아가 오늘 LIN, CAN, CAN-FD, FlexRay 및 SENT와 같은 자동차 차량 네트워크(IVN)의 버스 라인을 정전기 방전(ESD) 및 기타 과도 현상으로 인한 손상으로부터 보호하도록 설계된 6개의 ESD 보호 소자(PESD2CANFD36XX-Q)가 포함된 AEC-Q101 인증 포트폴리오를 출시했다. 데이터 속도가 증가하고 차량에 더 많은 전장 기술이 채택되므로 ESD 보호의 필요성이 더욱 중요해지는 추세다. 이에 따라 자동차 모듈에 적합한 보호 기능을 제공하는 일이 설계 엔지니어에게 지속적인 과제로 떠오르고 있다. 자동차 및 소형 차량의 배터리 전압과 달리 24V 보드 네트는 일반적으로 트럭 및 상업용 차량에 사용된다. 일반적으로 작동 전압이 32V 이상인 ESD 보호 소자들은 24V 보드 네트에서 민감한 신호 라인을 보호해야 한다. 이러한 요구 사항을 해결하기 위해 넥스페리아는 36V의 최대 역 스탠드오프 전압과 최대 22kV의 ESD 보호 기능을 제공하는 이 포트폴리오를 설계했다. 이 성능은 IPP=1A 에서 VCL=48V 의 낮은 클램핑 전압과 결합돼 IVN을 위
핵심 반도체 전문업체인 넥스페리아(Nexperia)가 10개의 새로운 25V 및 30V의 완전 최적화 소자들을 출시해 '핫스왑 및 소프트 스타트용 ASFET(특수목적용 MOSFET) 포트폴리오를 확장했다고 21일 밝혔다. 이 소자들은 업계 최고의 향상된 안전 작동 영역(Safe Operating Area: SOA) 성능과 매우 낮은 RDS(on) 를 결합한 것으로 데이터 센터 서버 및 통신 장비를 포함한 12V 핫스왑 애플리케이션에 이상적이다. 넥스페리아에 따르면 ASFET은 출시 이후 그동안 배터리 절연, DC 모터 제어, 이더넷에 의한 전력 공급(PoE), 자동차 에어백 애플리케이션 등 최적화된 분야에서 성공을 거뒀다. 돌입 전류는 핫스왑 응용 제품에서 신뢰성 문제를 일으킬 수 있다. 그러나 향상된 SOA 모스펫을 최초로 개발한 넥스페리아는 이러한 애플리케이션에 완전히 최적화된 '향상된 SOA기능을 가진 핫스왑 및 소프트 스타트 ASFE' 포트폴리오 설계로 이러한 문제를 해결했다. PSMNR67-30YLE ASFET 소자는 이전 기술보다 2.2배 더 강력한 SOA(12V @100mS)를 제공하면서도 RDS(on) (최대)값이 0.7mΩ에 불과하다. 이 소
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 |
본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호
copyright(c) HelloT all right reserved
UPDATE: 2025년 01월 13일 15시 17분
