일반뉴스 온세미컨덕터, 3세대 '울트라 필드 스탑 '기술 기반 IGBT 제품군 확대

온세미컨덕터가 자사 소유의 울트라 필드 스탑 트렌치 기술을 이용한 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)의 새로운 시리즈를 발표했다. NGTB40120FL3WG, NGTB25N120FL3WG 그리고 NGTB40N120L3WG의 세 가지 모델로 출시된 이 제품들은 높은 수준의 작동 성능을 전달해 최신 스위칭 애플리케이션의 정확한 요구에 부응하도록 설계됐다. 이 1200 볼트(V)용 소자들은 업계를 선도하는 '토탈 스위칭 손실(Ets)' 특성을 제공한다. 매우 넓고 높게 활성화된 '필드 스탑 층'과 최적화된 'co-pack' 다이오드를 특징으로 하는 이 제품들은 기존 제품들에 비해 획기적인 성능 개선 효과를 제공한다. 사진. NGTBxxN120FL3WG NGTB40N120FL3WG는 2.7 밀리줄(mJ)의 Ets를, NGTB25N120FL3WG는 1.7mJ를 제공하는데 두 소자 모두 각각의 정격 격류에서 1.7V의 VCEsat를 갖는다. NGTB40N120L3WG는 저전도 손실에 최적화 되어 있으며 정격 전류에서 1.55V의 VCEsat 와 3mJ의 Ets를 제공한다. 이번에 출시된 '울트라 필드 스탑' 제품들은 soft 턴-오프 기능을 제공하면서도 역 회복

• 2016-05-17 14:56