ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 IGBT 및 실리콘 카바이드 MOSFET을 위한 새로운 듀얼 채널 갈바닉 절연 게이트 드라이버 2종을 출시했다. ST는 새로 출시한 제품을 통해 고전압 전력변환 및 산업용 애플리케이션의 공간 절감과 간편한 회로 설계를 지원한다. IGBT를 위한 STGAP2HD와 SiC MOSFET을 위한 STGAP2SICD는 ST의 최신 갈바닉 절연 기술을 활용해 SO-36W 와이드 바디 패키지로 6kV의 과도전압을 제공한다. 또 ±100V/ns dv/dt에 이르는 과도 내성을 통해 전기적 노이즈가 많이 발생하는 동작 조건에서 스퓨리어스(spurious) 턴온을 방지한다. 디바이스는 최대 4A의 강력한 게이트 제어 신호를 제공할 수 있으며, 턴온 및 턴오프 시간을 독립적으로 조정하게 해주는 듀얼 출력핀을 통해 게이트 구동을 위한 유연성을 추가로 지원한다. 능동 밀러 클램프(Active Miller Clamp)로는 하프-브리지 토폴로지의 빠른 정류 시 게이트 스파이크를 방지한다. 회로 보호 기능에는 열 보호와 안전한 동작을 위한 워치독(Watchdog), 위험한 저효율 모드에서 시동을 방지하는 채널당 UVLO(Under-Voltage Lo
[첨단 헬로티] 완전 차동 입력을 사용한 하측 게이트 드라이버 IC 제품군 하측 게이트 드라이버 IC는 스위치드 모드 전원장치(SMPS)에서 전력 MOSFET을 온 및 오프로 적절히 구동하기 위해서 흔히 사용되는 부품이다. 부스트 PFC 스테이지에서는 하측 고전압 전력 MOSFET을 구동한다. LLC, ZVS, TTF 같은 고전압 DC-DC 스테이지에서는 게이트 드라이버 트랜스포머를 통해서 고전압 전력 MOSFET을 턴온 및 턴오프한다. 센터 탭 동기 정류 스테이지에서는 저전압 MOSFET으로 바로 연결된다. 통상적인 하측 게이트 드라이버 IC는 입력 신호 레벨을 위해서 게이트 드라이버 IC의 영전위를 참조한다. 그런데 이 영전위가 컨트롤러 IC의 영전위로부터 너무 멀리 이상을 일으키면 게이트 드라이버 IC를 부적절하게 트리거할 수 있다. 그러면 SMPS의 동작을 방해하고, 심하면 하프 브리지 슛 스루를 발생시키고 과도한 전기적 스트레스로 인해서 연결된 전력 MOSFET으로 오작동을 일으킬 수 있다. 그림 1. 800W 스위치드 모드 전원장치(SMPS)의 블록 다이어그램 하드 스위칭 과제 부스트 PFC나 TTF 같은 하드 스위칭 토폴로지에서는 전력 MOSFE
[첨단 헬로티] ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 다양한 기능을 갖춘 단일 채널 갈바닉(Galvanic) 절연 게이트 드라이버인 STGAP2S를 출시했다. 이 디바이스는 26V의 최대 게이트-드라이브 출력 전압과 옵션으로 제공되는 개별 턴온/턴오프 출력 또는 통합 액티브 밀러 클램프(Miller Clamp)를 통해 다양한 스위칭 토폴로지에서 SiC(Silicon-Carbide)나 실리콘 MOSFET 및 IGBT를 제어할 수 있다. STGAP2SCM은 전용 액티브 밀러 클램프 핀을 갖추고 있으며, 이는 하프 브리지 구성에서 원치 않는 트랜지스터 턴온을 방지하는 편리한 솔루션을 제공한다. 이 핀에 MOSFET 게이트를 연결하면, 다음 순서로 올바른 턴온 신호가 발생할 때까지 전압을 클램핑하여 턴오프로 접지 절연을 실행한다. 개별 턴온 및 턴오프 출력을 갖춘 STGAP2SM은 두 개의 외부 게이트 저항을 사용하여 스위칭 전이를 최적화하게 해준다. 모든 STGAP2S 게이트 드라이버는 4A 레일-투-레일(Rail-to-Rail) 출력을 제공하므로, 고전력 인버터의 경우에도 명확하고 효율적인 스위칭이 가능하다. 또한, SiC 디
[헬로티] TI(대표 켄트 전)는 5.7kVRMS의 절연 듀얼 채널 게이트 드라이버 UCC21520을 출시했다. 새로운 게이트 드라이버 제품군의 첫 번째 제품이다. TI에 따르면, UCC21520은 유연하면서도 보편적인 호환성을 제공해 로우사이드, 하이사이드, 하이사이드/로우사이드 또는 하프 브릿지 전원 관리 설계에 절연 드라이버로 사용이 가능하다. 또한 TI의 통합 부품, 첨단 보호 기능 및 최적화된 스위칭 성능을 제공해 기업용, 통신, 오토모티브 및 산업용 애플리케이션을 위한 보다 작고 견고한 설계가 가능하다. UCC21520은 시스템 보호와 신뢰성이 중요시되는 고전압 애플리케이션을 위해 설계됐고, 5.7kVRMS의 강화된 절연 성능과 최대 12.8kV에 이르는 서지 내성, 100V/ns 이상의 동상 모드 과도응답 내성(common-mode transient immunity)을 제공한다. 뿐만 아니라 회사 측은 업계에서 가장 빠른 19ns의 전달 지연과 5ns 미만의 엄격한 채널간 지연 매칭을 제공함으로써 높은 전력 밀도 및 효율을 달성하며, 작은 솔루션 크기와 높은 신뢰성으로 완제품의 수명을 연장한다고 설명했다. TI가 강조하는 UCC21520의 주요
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