테크노트 어플라이드, EUV 노광 보완한 패터닝 형성 기술 공개

어플라이드 머티어리얼즈가 추가적인 비용, 복잡성, 에너지, 재료 소비 없이 반도체 제조사가 설계를 축소할 수 있도록한 패터닝 기술을 2일 공개했다. 이 기술을 통해 반도체 제조사는 고성능 트랜지스터 제작 및 배선층 제작 과정에서 EUV 노광 스텝을 줄임으로써 첨단 반도체 제조에 소요되는 비용 및 복잡성을 낮추고 환경에 미치는 영향을 줄일 수 있다. 고객들은 EUV의 분해능 한계보다 작은 반도체 소자를 프린팅할 때 칩 면적 최적화를 위해 EUV 더블 패터닝 사용을 확대하고 있다. 반도체 제조사는 고밀도 패턴을 절반으로 분할하여 프린팅하는 EUV 더블 패터닝을 사용해 EUV의 분해능 한계에 대응하는데 이때 마스크 2개가 제작되고 절반으로 분할된 패턴은 모두 층간 패터닝 필름에 결합된 후 웨이퍼에 식각된다. 이러한 더블 패터닝은 소자 밀도 증대 측면에서 효과적이지만 설계와 패터닝을 복잡하게 하고 시간, 에너지, 재료, 물이 소비되는 여러 공정 스텝이 필요해 웨이퍼 팹 및 웨이퍼 생산 비용을 높인다. 이에 어플라이드 머티어리얼즈는 주요 고객사와 협력해 'Centrua Sculpta' 패터닝 시스템을 개발했다. 반도체 제조사는 싱글 EUV 패턴을 프린팅한 다음 Scu

• 이창현 기자
• 2023-03-02 13:48