테크노트 KAIST, 세계 최초 ‘음의 정전용량 플래시 메모리’ 개발

기존 플래시 메모리의 물리적 성능 한계 뛰어넘어…차세대 낸드 플래시 메모리 개발에 핵심 역할 할 것으로 기대 KAIST는 전기및전자공학부 전상훈 교수 연구팀이 '음의 정전용량 효과(Negative Capacitance Effect, 이하 NC 효과)'를 활용해 기존 플래시 메모리의 물리적 성능 한계를 뛰어넘는 음의 정전용량 플래시 메모리를 세계 최초로 개발했다고 18일 밝혔다. 음의 정전용량 효과란 음의 정전용량 현상은 인가되는 전압이 증가하면 전하량이 감소함을 의미한다. 음의 정전용량 특성을 가지는 유전체 사용시, 트랜지스터에 인가되는 전압을 내부적으로 증폭해 상대적으로 낮은 동작전압을 사용할 수 있어, 파워소모를 줄일 수 있다. KAIST 전기및전자공학부 김태호 박사과정과 김기욱 박사과정이 공동 제1 저자로 수행한 이번 연구는 저명 국제 학술지 '어드밴스드 펑셔널 머터리얼즈' 2022년 12월호에 출판됐다. 현대 전자 소자에서 축전기(Capacitor)는 매우 중요한 구성 요소의 하나로, 전자 소자가 소형화되고 수직 방향으로 적층 되면서 축전기에 저장되는 전하량이 감소하는 문제가 생기므로 높은 정전용량을 가진 유전체 물질이 필수적으로 요구되고 있다. 여기

• 이창현 기자
• 2023-01-18 11:03