테크노트 UNIST, '열처리 없는' 텔레륨 박막 활용한 새로운 증착법 개발

기존 박막 증착법 한계 넘어 텔레륨 원자 활용한 증착 방식 구현 미래 반도체 제조공정의 핵심 기술이 개발됐다. 차세대 반도체 소재를 원자층 수준에서 정밀하게 쌓는 기술이다. 낮은 온도에서도 나노 수준의 3차원 구조에 적용 가능해 다양한 전자 소자에 활용될 전망이다. UNIST 반도체 소재·부품 대학원 및 신소재공학과 서준기 교수팀은 홍익대학교 송봉근 교수, UNIST 정후영 교수 연구팀과 함께 원자층 증착법(ALD)으로 50도의 저온에서 텔레륨 원자가 규칙적으로 배열되는 박막 증착 공정법을 개발했다. 원자층 증착법은 낮은 공정온도에서 삼차원 구조의 표면에 얇고 균일한 막 코팅과 정교한 두께 조절이 가능한 차세대 박막 공정법이다. 하지만, 차세대 반도체인 원자층 반도체에 적용하기 위해서는 일반적으로 250도 이상의 공정온도와 450도 이상의 추가 열처리 작업이 요구된다. 연구팀은 전자소자, 열전소재 등의 다양한 분야에서 연구 중인 단일 원소 원자층 반도체 텔레륨에 원자층 증착법을 적용했다. 열처리 공정 없이도 50도의 저온에서 고품질의 박막을 성공적으로 제조했다. 제조된 박막은 원자가 규칙적으로 배열되고, 나노미터 이하의 두께 조절이 가능하며 모든 표면 위에서

• 서재창 기자
• 2023-08-01 09:51