일반뉴스 TI, 日 아이주 웨이퍼 팹에서 GaN 기반 전력 반도체 제조

텍사스 인스트루먼트(TI)가 일본 아이주 제조 시설에서 GaN(질화 갈륨) 기반 전력 반도체 제조를 시작했다. 미국 텍사스주 댈러스에 위치한 기존 GaN 제조 시설에 이어 아이주 공장이 가동되면서, TI에서 자체적으로 제조하는 GaN 기반 전력 반도체의 제조량이 4 배로 증가하게 된다. TI의 기술 및 제조 담당 수석 부사장인 모하마드 유누스(Mohammad Yunus)는 “TI가 10년 이상 쌓아온 GaN 칩 설계 및 제조 분야의 전문성을 바탕으로 현재 가장 확장 가능하고 비용 경쟁력 있는 200mm GaN 기술을 성공적으로 검증하고 이를 통해 아이주에서 대량 생산을 시작하게 되었다”고 말했다. 이어 그는 “이번 성과를 통해, TI는 2030년까지 내부 제조 비율을 95% 이상으로 확대하면서 더 많은 GaN 칩을 내부에서 제조할 수 있게 되었으며, TI의 여러 공장에서 에너지 효율적인 고전력 반도체로 구성된 전체 GaN 포트폴리오를 안정적으로 공급할 수 있을 것이다” 라고 밝혔다. GaN은 실리콘을 대체하는 반도체 소재로 에너지 효율성, 스위칭 속도, 전력 솔루션 크기와 무게, 전체 시스템 비용, 고온 및 고전압 조건에서의 성능 측면에서 장점을 제공한다.

• 서재창 기자
• 2024-10-26 14:49