일반뉴스 '나노 공정의 혁신' IBM과 삼성이 발표한 반도체 디자인은?

헬로티 서재창 기자 | IBM과 삼성전자는 15일인 오늘 수직 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인(VTFET)을 발표했다. 양사는 이번 신규 반도체 설계를 바탕으로 나노 공정을 뛰어넘는 혁신이 가능하며, 기존 스케일링된 핀펫(finFET) 아키텍처 대비 전력 사용량을 최대 85%까지 절감할 수 있다고 밝혔다. 이번 발표는 전 세계적인 반도체 부족 사태로 인해 칩 연구 및 개발에 대한 투자의 중요성은 물론, 컴퓨터, 가전제품, 통신 장비, 운송 시스템 및 중요한 인프라에 활용되는 반도체 자체의 중요성이 증가한 가운데 이루어져 더욱 눈길을 끈다. 이번에 발표된 혁신적인 반도체 기술은 IBM과 삼성전자가 뉴욕 올버니 나노테크 연구단지에서 진행한 공동 연구의 결과로, 이 곳에서 연구원들은 논리 회로의 확장과 반도체 성능의 경계를 넓히기 위해 공공 및 민간 부문 파트너와 긴밀히 협력하고 있다. IBM 올버니 나노테크 연구단지는 이러한 협업 접근 방식을 통해 반도체 연구를 위한 선도적인 에코시스템을 구축하고 신기술 개발 프로젝트를 끊임없이 진행해 제조 수요를 해결하고 글로벌 칩 산업의 성장을 가속화하도록 돕고 있다. 새로운 VTFET 아키텍처가 개발됨에 따

• 서재창 기자
• 2021-12-15 09:20