일반뉴스 UNIST, 원자층 트랜지스터 제조기술로 반도체 혁신 이룬다

고성능 반도체 소자 미세화‧고집적화 탄력 기대 실리콘 아닌 다른 물질로 ‘더 싸고 작고 성능 좋은’ 반도체를 개발하는 ‘모어 무어(More Moore) 기술’에 탄력이 붙을 전망이다. 반도체 소자 속 반도체와 금속 사이를 ‘1나노미터(㎚, 10억 분의 1m)’ 이하로 줄이면서 고성능을 유지한 기술 덕분이다. UNIST 신소재공학과 권순용·이종훈 교수팀은 반도체 물질과 ‘초미세 금속 전극’이 0.7나노미터(원자 3개 크기)를 두고 수평으로 접합된 ‘고성능 초박막 반도체’ 소자를 원하는 형태로 합성하는 데에 성공했다. 반도체 칩의 성능을 높이려면 칩을 구성하는 개별 소자를 아주 작게 만들어야 하는데, 이를 해결하는 새로운 방법이 나온 것이다. 이를 통해 연구팀은 이번 성과가 ‘반도체 소자 미세화’를 앞당길 것으로 기대했다. 반도체 소자는 전자가 원하는 때에 특정한 위치와 방향으로 움직여야 제대로 작동한다. 그런데 칩 하나에 더 많은 소자를 넣으려 개별 소자를 작게 만들면, 전자가 원치 않는 위치로 흐르는 현상(터널링 효과)이 나타난다. 이 문제를 풀기 위해 매우 얇은 2차원 반도체 물질을 연구 중이지만, 그에 걸맞은 전극은 나오지 않았다. 권순용·이종훈 교수팀은

• 서재창 기자
• 2022-09-05 09:28