[첨단 헬로티]
“‘DATA의 시대, 그 중심에는 메모리 반도체가 있습니다.”
이달 8일부터 11일까지 개최된 반도체대전(SEDEX) 2019의 SK하이닉스 부스 앞에 놓인 'Memory Centric World'에 적힌 일부 문구이다. 이 말처럼 SK하이닉스는 이번 전시회에 데이터 시대를 위한 다양한 메모리 반도체를 선보였다.
특히 SK하이닉스가 업계 최고속 ‘HBM2E’ D램 개발하는데 성공한 ‘HBM2E’ D램을 직접 볼 수 있었다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품을 말한다.
TSV(Through Silicon Via)는 D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술을 말한다. 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류를 전달하게 된다.
HBM2E는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다는 것이 SK하이닉스측의 설명이다.
또한 SK하이닉스가 개발한 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.
HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI 등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다. HBM은 메모리 칩을 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하는 통상적 방식이 아닌, 칩 자체를 GPU와 같은 로직 칩 등에 수십um(마이크로미터) 간격 수준으로 가까이 장착한다. 이로써 칩간 거리를 단축시켜 더욱 빠른 데이터 처리가 가능해진다.
이 외에도 SK하이닉스는 이번 전시회 기간 동안 서버 솔루션(server solution), 모바일 솔루션, MCP, 스토리지, 오토모티브 솔루션, 씨모스 이미지 센서(cmos image sensor) 등을 전시했다.
한편, 올해로 21주년을 맞이한 반도체대전(Semiconductor Exhibition 2019)은 한국반도체산업협회(KSIA) 주관으로 코엑스에서 한국전자전과 동시에 개최됐다.
