[첨단 헬로티]
전력 애플리케이션용 하이브리드 IGBT와 다양한 IGBT 드라이버 공개 예정
에너지 효율 혁신을 주도하는 온세미컨덕터는 독일 뉘른베르크에서 5월 7일 개최되는 PCIM 유럽 2019에서 새로운 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 하이브리드 IGBT 및 관련 절연 고전류 IGBT 게이트 드라이버를 출시 및 전시할 예정이다.
AFGHL50T65SQDC는 최신 필드 스톱 IGBT 및 SiC 쇼트키 다이오드 기술을 사용해 토템 폴(totem pole) 기반의 브릿지리스 PFC(Bridgeless Power Factor Correction) 및 인버터와 같은 리버스 리커버리(Reverse recovery) 손실 감소로부터 이점을 얻으며, 다중 전원 애플리케이션에서 낮은 도통 및 스위칭 손실을 제공한다.
▲온세미컨덕터의 AFGHL50T65SQDC
해당 디바이스는 실리콘 기반의 IGBT와 SiC 기반의 쇼트키 배리어 다이오드가 함께 패키징 돼 실리콘 기반 솔루션의 낮은 성능과 전체가 SiC 기반 솔루션의 높은 비용 사이의 균형을 맞춘다. 이 고성능 디바이스는 650V 작동에 적합하며, 최대 200A의 펄스 전류뿐 아니라 최대 100A@25℃(50A@100℃)의 직류를 처리할 수 있다. 더 많은 전류 용량이 필요한 시스템의 경우인 PTC(Positive Temperature Co-efficient)에서 쉽고 편리한 병렬 조작이 가능하다.
최신 전기 자동차 어플리케이션은 차량 주행 시 에너지를 사용하지만, 경우에 따라서 피크타임시 가정에서 전력을 공급하는 데 사용될 수 있는 에너지를 저장하기도 한다. 이를 위해, 전송 도중에 에너지가 소모되지 않도록 고효율 스위칭이 필요한 양방향 충전기가 있어야 한다. 외부 SiC 다이오드가 있는 IGBT는 순방향 및 리버스 리커버리 손실이 없으므로 MOSFET 솔루션보다 훨씬 효율적이다.
AFGHL50T65SQDC는 175℃의 높은 접합 온도에서 작동할 수 있어 자동차를 포함한 가장 까다로운 전력 어플리케이션에 적합하다. 이는 AEC-Q101기반으로 인증됐으며, EV 및 HEV에서 사용에 대한 적합성을 입증한다.
온세미컨덕터는 새로운 하이브리드 IGBT 외에도 PCIM에서 새로운 영역의 절연 고전류 IGBT 드라이버를 발표하고 공개할 예정이다. NCD(V)57000 시리즈는 태양광 인버터, 모터 드라이브, 무정전 전원 장치(UPS)와 파워트레인 및 PTC 히터와 같은 자동차 어플리케이션 등 다중 전력 어플리케이션을 목표로 하고 있다.
NCD(V)57000 시리즈는 내부에 갈바닉 세이프(galvanic safe) 절연 기능이 내장된 고전류 단일 채널 IGBT 드라이버로서 높은 신뢰성이 규정된 전원 애플리케이션에서 고효율 작동을 제공하도록 설계됐다.
▲온세미컨덕터의 NCD(V)57000 시리즈
이는 상보 입력, 오픈 드레인 폴트 및 출력 대기, 액티브 밀러 클램프(Miller clamp), 정확한 저전압 차단(UVLO), 소프트 턴 오프 기능을 가진 DESAT 보호, 네거티브 게이트 전압 핀과 시스템 설계 유연성을 위한 별도의 온·오프 드라이버 출력 핀을 제공한다.
갈바닉 절연은 UL1577의 요구사항을 충족하는 5kVrms 이상에서 적합하며, 사용 전압은 1200V 이상이다. 이 디바이스는 강화된 안전 절연 요구사항을 충족시키기 위해 8mm의 크리피지 디스턴스(creepage distance(입력>출력))를 보장한다.
NCD(V)57000 디바이스는 7.8A의 구동 전류를 제공하고, 일부 경쟁 디바이스의 3배 이상에 달하는 7.1A의 싱크 전류를 갖는다. 더 중요한 점은, 이는 밀러 플래토(Miller plateau) 영역에서 작동 시 더 큰 전류 성능을 발휘할 수 있는데, 첨단 보호 기능과 결합 시 NCD(V)57000 디바이스를 업계 최고의 IGBT 드라이버로 만든다.
