-
KAIST, 실리콘 한계 뛰어넘는 양극성 반도체 소자 개발
- 2024-12-30 13:53
- 이창현 기자
-
ETRI-KICET 공동연구진, 3kV급 산화갈륨 소재·소자기술 개발
- 2024-02-03 11:19
- 임근난 기자
-
TI, 전력밀도 개선한 저전력 질화갈륨 포트폴리오 발표
- 2023-12-01 09:57
- 서재창 기자
-
'무어의 법칙' 이어가는 인텔, IEDM 2022서 공개한 기술은?
- 2022-12-05 09:39
- 서재창 기자
-
어플라이드 머티어리얼즈, 2D EUV 공정미세화·3D GAA 트랜지스터 기술 발표
- 2022-04-28 13:34
- 이동재 기자
-
국내 대학 연구팀, 저전압 구동 가능 수직구조 트랜지스터 개발
- 2022-03-01 13:46
- 함수미 기자
-
로옴, 말레이시아에 신규 생산동 설립으로 반도체 수요 대응
- 2021-12-14 13:45
- 서재창 기자
-
무어의 법칙 지속해온 인텔, 공정과 패키징 기술 혁신 '주력'
- 2021-12-13 15:32
- 서재창 기자
상호명(명칭) : (주)첨단 | 등록번호 : 서울,자00420 | 등록일자 : 2013년05월15일 | 제호 :헬로티(helloT) | 발행인 : 이종춘 | 편집인 : 김진희 | 본점 : 서울시 마포구 양화로 127, 3층, 지점 : 경기도 파주시 심학산로 10, 3층 | 발행일자 : 2012년 4월1일 | 청소년보호책임자 : 김유활 | 대표이사 : 이준원 | 사업자등록번호 : 118-81-03520 | 전화 : 02-3142-4151 | 팩스 : 02-338-3453 | 통신판매번호 : 제 2013-서울마포-1032호 copyright(c) HelloT all right reserved.
